Articol publicat in revista Start Spre Viitor 1984
Bobina L1 (este bobinată pe o bară de ferită), împreună cu C4 formează circuitul oscilant care realizează acordul pe postul dorit. L2 este cuplată inductiv cu L1 şi prin condensatorul C2 semnalul cules este aplicat pe baza lui T1, care este amplificator de înaltă frecvență. Din colectorul lui T1, semnalul amplificat este transmis pe baza celui de-a doua amplificator de înaltă frecvență (T2), al cărui colector (pe R4) regăsim semnalul amplificat.
Condensatorul C6 cuplează amplifi-catorul cu detectorul, care are în componența lui diodele D1 şi D2, montate într-un montaj cu dublare de tensiune. Rezistența R7 constituie sarcina detectorului iar R7 şi C7 un grup de filtraj pentru curenții de radiofrecvență. Condensatorul C8 aplică semnalul de audiofrecvență de la detector, amplificatorului de audiofrecvență prin intermediul potențiometrului P1 (10 kΩ logaritmic). T3 şi T4 echipea-ză amplificatoorul de audiofrecvență. La ieşirea căruia este plasat difuzorul prin intermediul lui Tr1, care este un transformator de ieşire (folosit în ra-dioereceptoare cu tranzistoare de exemplu, Albatros, Milcov etc.).
Condensatorul C9 împreună cu R9, servesc la separarea etajelor de înaltă frecvență şi joasă frecvență, sau altfel spus împiedică eventualele autooscilații, care pot apărea din cauza cuplajelor parazite. C6 are ro-lul de a micșora rezistența internă a sursei de alimentare (bateriei). Mon-tajul se execută pe o placă de cablaj imprimat ale cărui dimensiuni sînt impuse de dimensiunile pieselor co-losate. Difuzorul poate avea o impe-danță caracteristică (Z) cuprinsă în-tre 4 şi 12 Ω.
T1, T2 – EFT 319; T3, T4 – EFT 353; L1 – 60 spire Cu-Em ø 0,15; L2 – 6 spire Cu-Em ø 1,15; se bobi-nează în continuarea lui L1 (de la capătul „rece“ al acestuia); C1 – 47 nF; C2 – 10 MF/6V; C3 – 47 nF; C4 0,1 MF; C5 – 4,7 MF; C6 – 4,7 MF/6V; C7 – 4,7 MF/6V; C847 MF/6V; R1 – 100 k (se alege pentru I = 1 mA); R2 – 1 k; R3 – 100 k (se alege pentru I = 2 mA); R4 – 2,2 k; R5 – 100; R6 – 10 K; R7 – 2,2 K; R8 – 10 k (se alege pentru I = 10 mA); R9 – 4,7 k; D1, D2 diode cu Germa-niu de tip EFD 105.
