Capitolul III DEPANAREA RADIORECEPTOARELOR TRANZISTORIZATE
4. Metode si etape de depanare
Procesul tehnologic al depanarii unui radioreceptor cu tranzistoare cuprinde o succesiune de operatii care conduc in final la descoperirea cauzei care a determinai simptomul (element pasiv sau activ defect, deteriorare mecanica, reglaje incorecte) si inlaturarea acestei cauze, dupa care ur¬meaza aducerea radioreceptorului la performantele initiale.
Depanarea se face in doua etape localizarea etajului defect, iar apoi identificarea piesei defecte. Metoda optima de depanare se considera aceea care conduce la localizarea pieselor defecte in timpul cel mai scurt si cu un numar minim de masurari si verificari. Acest deziderat insa este satis¬facut numai daca radioamatorul poseda cunostinte despre functionarea radioreceptorului, modul cum defectiunea afecteaza performantele globale reale si legatura dintre simptom si cauza defectului. In acest scop, capitolele pre¬cedente ale lucrarii de fata au urmarit sa raspunda si sa elucideze unele probleme de baza ale constructiei si functi¬onarii radioreceptoarelor, conditii obligatorii ale unei depa¬nari rapide si corecte.
Localizarea defectelor se poate face rational .si organizat, utilizind aparate de masurat si control specifice (profe¬sionale) sau utilizind un minim de aparate de masurat si control accesibile radioamatorilor. Tinind cont de situatie, s-a mers pe linia de mijloc, spre a fi util atit radioamatorilor avansati, cit si celor incepatori.
In acest capitol vor fi analizate lucrarile de depanare a radioreceptoarelor incluzind majoritatea defectelor tipice, fara a insista asupra reparatiilor pur mecanice, deoarece acestea contin multe elemente specifice fiecarui receptor.
Etapele depanarii radioreceptoarelor sint
—precizarea simptomului prin observarea manifestarii exterioare, fie auditiv, fie prin manevrarea unor comenzi sau reglaje;
— analiza schemei electrice a aparatului contribuie, prin cunoasterea particularitatilor fata de schema clasica, la. diagnosticarea defectului;
— verificarea starii exterioare, a functionarii partii mecanice, a sursei de alimentare, a starii fizice a pieselor;
— stabilirea etajului si a defectului din acest etaj prin injectarea si urmarirea semnalului in cele doua tronsoane a) CI; RF, SF, FI, Det si b) AAF;
— masurarea tensiunilor si curentilor pentru localizarea piesei defecte din etaj;
— repararea defectului (conexiune, componente electronice, scurtcircuite, exfolieri sau intreruperi ale cablajelor imprimate);
— proba eliminarii defectului (defectelor).
Inainte de a se trece la repararea unui radioreceptor defect, este bine ca depanatorul sa afle in prealabil cum a functionat aparatul pina atunci, cind si care anume piese au fost inlocuite, in ce conditii s-a defectat (progresiv in timp, brusc).
In foarte multe cazuri; auditia necorespunzatoare se da- toreste bateriei epuizate, al carei curent scade in sarcina, desi tensiunea masurata “in gol” indica o valoare normala.
Metodele de localizare a defectului la nivelul etajelor con¬stau in masurari, conectind aparatele de masura in diferite puncte ale radioreceptorului. Alegerea metodei optime se bazeaza pe anumite criterii (clasele de defecte, calitatea apa¬ratelor de masura disponibile, locul depanarii etc.).
Metodele care pot fi aplicate si de radioamatori sint injectia de semnal, urmarirea semnalului, inlocuirea blocu¬lui functional (claviatura, bobine etc.).
Metodele uzuale de depistarea piesei defecte constau in aprecierea performantelor globale corelate cu performan¬tele etajului respectiv (defectarea anumitor piese afecteaza calitatea functionarii) si metoda masurarii ”pas cu pas” a etajului, in regim static sau dinamic.
Verificarea radioreceptoarelor cu tranzistoare fara apa¬rate de masura se incepe prin examinarea, cu atentie a mon¬tajului, pieselor, legaturilor, traseelor circuitelor improvi¬zate; daca s-a respectat polaritatea condensatoarelor elec¬trolitice, daca nu exista scurtcircuite, daca bateriile nu sint legate cu polaritate inversa. Tensiunea bateriei se ma¬soara cu radioreceptorul in functiune, la o intensitate ma¬xima a auditiei (volum maxim).
Incercarea functionarii in gamele de US si UUS se face atingind capatul unui conductor (ca antena exterioara) borna de antena si daca se aude in difuzor zgomot inseamna ca ARF sau OL este bun.
Se mentioneaza ca sistemul atingerii cu sirma sau cu surubelnita a elementelor de comanda (baza) si alte puncte ale montajului nu este intotdeauna concludenta, deoarece impedantele de intrare ale tranzistoarelor fiind mici, ele preiau o foarte mica parte din tensiunea de brum aplicata prin surubelnita. Ca atare, numai primele etaje (RF, FI) pot fi verificate astfel.
Obtinerea unor pocnituri puternice prin scurtcircuita¬rea intrarilor sau iesirilor tranzistoarelor va fi evitata, deoa¬rece de cele mai multe ori sa vor deteriora.
Se recomanda, pentru verificarea montajelor tranzis¬torizate, confectionarea unui ”cap de proba” simplu, intro- ducind un rezistor de circa 10 kOhmi intr-o fisa ”banana” (fig. 92, a).
Verificarea cu un asemenea dispozitiv se efectueaza conectind o clema crocodil la masa aparatului de receptie si cu volumul reglat la maximum se ating cu virful de test intrarile diferitelor etaje. In difuzor se vor auzi pocnituri de intensitati diferite, in cazul ca etajele respective func¬tioneaza normal. Astfel, in etajele de AF, FI—1, FI—2 se vor auzi pocnituri slabe si in RF si mixer pocnituri puter¬nice.
Trebuie avut in vedere ca ”pocnitura” poate fi auzita chiar data etajul oscilator local nu functioneaza.
Desi simpla, metoda descrisa mai sus nu este prea si¬gura. In determinarea precisa a etajului defect.
Masurarea tensiunilor de radiofrecventa din etajele. RF si FI se poate face cu un instrument a carui rezistenta in¬terna trebuie sa fie mai mare de 10 kOhmi, introdus in circui¬tul de iesire al sondei din figura 92, b.
Un cap de proba (sonda) tot la fel de simplu, pentru urmarirea semnalului unui post, este prezentat in schema din figura 92, c. El are doua intrari de RF si AF.
Semnalul de RF modulat cu audiofrecventa sau sem¬nal de AF din radioreceptor —ajunge prin condensatorul de cuplaj de 20 pF, respectiv 400 sau 1 000 pF, la detectorul EFD 108. In timp ce semiperioada pozitiva este scurtcir¬cuitata, semiperioada negativa produce pe rezistorul de 3 MOhmi, respectiv 0,3 MOhmi, o tensiune de AF corespunzatoare modulatiei de AF care se aplica amplificatorului diia radio¬receptor sau se aude intr-o casca. Condensatorul de 100 pF serveste la suprimarea restului de RF.
In cazul in care etajul defect nu poate fi gasit cu ajutorul unei simple examinari cu capul de proba sau sonda de RF, AF si nici prin verificarea starii exterioare a radiorecepto¬rului, se va folosi metoda injectiei si urmaririi semnalului produs de un generator.
Metoda injectiei de semnale produse de un generator standard (GSS) este prezentata in figura 93, cu scopul de a se orienta radioamatorii asupra modului de utilizare a aces¬tui aparat.
In lipsa unor aparate de masura specifice (voltmetru electronic, osciloscop, GSS), amatorii pot folosi:
— amplificatorul aperiodic ca urmaritor de semnal (cu cap de proba sau sonda) care introduce o amortizare ce deza¬cordeaza circuitele afectind performantele receptorului;
— multvibratorul (generator cu circuit basculant asta- bil de semnale dreptunghiulare — fig 86, 87 si 88).
Utilizarea universala a generatorului multivibrator este eficace in toate berrzile de frecvente (RF, FI, AF) in urma¬toarele scopuri:
— verificarea sensibilitatii pe toate gamele de lungimi de unda;
— controlarea golurilor de oscilatie de la domeniul de AF pina la RF;
— alinierea circuitului de intrare;
— controlarea alinierii circuitelor;
— acordarea etajelor de FI;
— depanarea prin injectia si urmarirea unui semnal.
Dupa cum rezulta, cu ajutorul unui generator de semnai se poate efectua usor o depanare metodica, rapida si corecta.
Semnalul se aplica, in acest scop, incepind ele la ulti¬mul etaj de AF pina la bornele antenei, dupa cum se arata in schema din figura 93.
Masurarea celorlalte performante (selectivitatea, ate¬nuari, distorsiuni etc.) presupune reglaje suplimentare si aparate specifice pe care nu le poseda amatorii.
Determinarea mai precisa a deranjamentelor si a etaju¬lui defect se efectueaza prin metoda semnalelor de test amin¬tita mai sus, conform schemei din figura 94.
Prin utilizarea mult.ivibratorului cu.circu.it basculant ca generator ele semnal (1000 Hz) cu foarte multe armonici si a unui amplificator ”urmaritor de semnale” (signal-tracer). Calitatea reparatiei creste, iar timpul consumat cu repara¬tia scade.
Exista doua metode metoda ”inainte” si metoda ”ina¬poi”; denumiti ciudate, dar eracte. Prima metoda consta, in cautarea afectiunii unui radioreceptor pornind-de la di¬fuzor spre aatsna (figura 94), iar a doua de la antena spre difuzor.
Generatorul pentru semnale de test (RF, FI, AF) se folo¬seste pentru lucru prin metoda ”inapoi”, iar urmaritorul de semnal despre care se va vorbi mai departe, pentru metoda ”inainte”.
Se va prezenta acum metoda ”inapoi” la folosirea genera¬torului de semnal.
De masa radioreceptorului se conecteaza iesirea ”M” a generatorului, iar cu virful de test se controleaza (fig. 94) difuzorul si toate elementele de comanda de la punctul 1 — 14 pina la borna de antena. In cazul unui receptor in stare de functionare, la atingerea fiecarui punct (atentie la frec¬venta introdusa RF, FI sau AF, daca generatorul poseda asemenea benzi) se va auzi in difuzor un semnal de 1000 Hz. Daca intr-unui din puncte semnalul inceteaza, atunci defec¬tiunea se afla in etajul respectiv si ramine doar sa fie loca¬lizata precis.
Dupa cum se observa, generatorul de semnal se aplica radioreceptoarelor cu defecte de clasa „A” (auditie nula), cu sensibilitate redusa sau cu functionare instabila.
Desi generatoarele de semnal prezentate in figurile 86 si 87 au prevazute condensatoare prin care se aplica semna¬lul, spre a evita scurtcircuitarea polarizarilor prin atenuato¬rul generatorului, mentionam ca alte tipuri de generatoare trebuie conectate la radioreceptoarele cu tranzistoare prin, capacitati de 10 … 20 pF pentru AAF si de citeva zeci de nanofarazi pentru etajele AFI, SF, iar pentru gama de US — 25 pF.
Controlul subiectiv al performantelor radioreceptorului verificat se efectueaza prin difuzor, iar obiectiv se poate controla prin masurarea cu rm wattmetr-u.de iesire a puterii semnalului si cu alte aparate complexe (osciloscop, distor- siometru).
in locul difuzorului sau a aparatelor specificate se poate improviza o instalatie de masurare, compusa dintr-un voltmetrii de c,c. cu rezistenta interioara mare (de preferat voltmetru electronic), care se conecteaza ca in schema din figura 95, a.
Pentru verificare, nu se vor aplica semnale exagerat de mari (nivelul normal finind ultimul etaj de FI —1 … 10 mV; etajul dinaintea acestuia 100 —-500 uV; OL —10 uV), de¬oarece se ”inneaca” receptorul si se supraincarca dioda de¬tectoare, precum si tranzistorul de AF.
Metoda urmaririi semnalului (sau metoda dinamica ”inainte”) se aplica cu precadere radioreceptoarelor cu de¬fecte de nefunctionare (lipsa de sensibilitate).
In scopul urmaririi semnalului se aplica la intrarea, ra¬dioreceptorului incepind cu punctul 1 (fig. 95, b,c,d) un sem¬nal de RF modulat cu AF, iar printr-un amplificator „urma¬ritor de semnal” (fig. 88) se va auzi in casca semnalul injec¬tat. Cu ajutorul miezului de ferita al circuitului de intrare se poate regla taria semnalului. Se testeaza pe rind, punc¬tele ele la 1 …7 si etajul unde, eventual, semnalul dispare este locul unde se cauta elementul defect prin incercari se¬parate. Trebuie retinut ca taria semnalului trebuie sa creasca pe masura ce se cauta semnalul, spre difuzor si verifica¬rile in partea de AF se fac cu dioda urmaritorului scurtcir¬cuitata. Ca indicator auditiv al montajului din figura 88 se poate folosi o casca telefonica sau o casca, piezoelectrica suntata ele un rezistor ele 5 kOhmi.
In principiu, metoda ”inapoi” seamana cu metoda ”ina¬inte”, facindu-se prin generator de semnal, cu deosebirea ca prin virfnl de test in primul caz se introduce semnalul, iar in al. doilea caz se scoate semnalul.
Cu urmaritorul de semnal se poate asculta din etaj in etaj (1 … 7) si semnalul unui post emitator puternic. Daca acesta nu ”raspunde” se verifica intii tensiunea OL, apoi tensiunile pe bazele tranzistoarelor de FI. Se trece apoi la rezistenta ele sarcina a etajului detector, evaluinclu-se ten- siunea de audiofrecventa si in final la etajele de AF pina la difuzor.
Se poate observa ca metoda semnalelor de test este mult mai expeditiva, chiar daca aparatele de verificare sint con¬struite de amatori.
Masurarea tensiunilor si curentilor intr-un radioreceptor, operatie concludcnta si obligatorie in cazul unei depanari rationale, urmeaza metodelor cu semnale ele test. Ea va fi exemplificata cu ajutorul mai multor scheme, pentru ca citi¬torul sa cunoasca exact valorile acestor marimi in diferite puncte ale montajelor.
Este important insa, inainte de a trece la masurari elec¬trice in radioreceptoare pe baza schemelor ele principiu, sa fie abordata masurarea regimului de lucru al tranzistoare lor. Numai astfel se poate deduce cauza anumitor defecte ale aparatelor.
Daca la radioreceptoarele cu tuburi cauza cea mai frec¬venta a defectelor este imbatrinirea sau arderea unui tub (argument des folosit de unii amatori), la radioreceptoarele cu tranzistoare, defectarea uniri tranzistor este foarte rara (durata sa de viata fiind teoretic nelimitata) si numai dato¬rita unor manevre gresite. De aceea, tranzistoarele vor fi mai rar acuzate de defecte si numai in ultima instanta. Schim-barea unui tranzistor cu altul din acelasi montaj datorita diferentei mari dintre parametrii lor n.u are sens; dimpotriva, daca nu implica un nou reglaj al circuitelor poate sa dau¬neze cablajului imprimat.
Calitatea tranzistorului se determina comparind valoa¬rea calculata sau masurata direct, a coeffeimtului sau cu valoarea indicata in catalog. In figurile 90 si 91 sint date scheme de tranzistormetre pentru masurarea coefici¬entului alfa in montaje cu baza comuna, care sint cele mai frecvente.
Toate tensiunile continue ale diferitelor montaje ale tranzistoarelor se masoara fata de un potential de referinta (plus sau minus) si emitor si intre acelasi potential de refe¬rinta si baza. Vokmetrul trebuie sa aiba Ri > 20 kOhmi. Ten¬siunile alternative (semnalul) se masoara cu un voltmetru electronic cu impedanta de intrare Zi > 10 MOhmi.
Pentru masurarea polarizarii tranzistoarelor pnp se ia ca referinta plusul masei de alimentare pentru tranzistoa¬rele din etajul final si plusul dupa rezistorul de filtraj pen¬tru tranzistoarele diii celelalte etaje, pentru o mai buna apre¬ciere a diferentelor tensiunilor mici citite pe scara mica a voltmetrului electronic.
Verificarea polarizarii tranzistoarelor este o operatie care poate sa furnizeze o cantitate mare de informatii, atit asupra starii telmice a tranzistorului, cit si asupra elemente¬lor circuitului in care este conectat.
Luind ca exemplu schema de principiu a unui etaj AFI cu circuit singular (fig. 91) pe care sint trecute Misiunile de polarizare a tranzistorului AF 126 (pentru tensiunea de alimentare de 6 V), se ver face citeva consideratii privind problema polarizarii..
Este un montaj cu emitorul comun. Divizornl rezistor este utilizat pentru polarizarea bazei, iar C1 pentru deeuplarea la masa a rezistorului R1 pentru ca in acest fel semnatul captat de la etajul anterior sa fie aplicat integral pe baza tranzistorului amplificator T. Emitorul este conec¬tat la masa pentru curentii de FI prin CE, iar rezistorul RE stabilizeaza termic functionarea tranzistorului.
S-a constatat ca unul din dezavantajele tranzistoarelor este lipsa de stabilitate la variatiile de temperatura, ceea ce poate conduce la cresterea IC pina la valoarea de deterio¬rare a tranzistorului sau modificarea caracteristicilor sale de amplificare intre limitele zero si maxim. Sint afectate in special tranzistoarele de AF. Stabilizarea punctului de func¬tionare se poate face cu ajutorul reactiei de tensiune, care in schema din figura 97 se obtine prin rezistorul RE. Alte pro¬cedee . de stabilizare termica il constituie reactia de curent, stabilizarea cu reactie de curent si de tensiune, precum si stabilizarea prin folosirea termistorului care este un rezis¬tor de tipul NTC (coeficient de temperatura negativ), utili¬zata curent in etajele finale ale receptoarelor si amplifica¬torului.
In continuarea explicitarii schemei (fig. 97), rezistorul Rd serveste pentru polarizarea la valoare diferita a colec¬torului, fiind decuplata la masa prin condensatorul Cd.
Din citirea tensiunilor masurate, luind ca .referinta po¬tentialul minus al bateriei, se observa ca tensiunea dintre minus si emitor (4,45 V) trebuie sa fie mai mare decit ten-siunea dintre minus si baza (4,2 V), cu 0,15 … 0,3 V.
De asemenea, daca se masoara tensiunea luind ca refe¬rinta potentialul plus al bateriei, tensiunea dintre plus si emitor (0,8 V) trebuie sa fie mai mica decit tensiunea dintre plus si baza (1,05 V) cu 0,15 … 0,3 V.
Defectiunile care apar in circuitele de polarizare pot mo¬difica regimul de lucru sau pot determina distrugerea jonctiunilor tranzistoarelor.
Din analiza schemei din figura 98, a se desprind unele concluzii asupra, defectiunilor ce pot aparea in circuitele de polarizare a tranzistoarelor. Diferenta dintre tensiunea pe emitor UE (—0,5 V) si tensiunea pe baza UB (—0,7 V) este tensiunea de polarizare a bazei (in cazul schemei UB — UE = —0,7 —(-0,5) = —0,7 + 0,5 =—0,2 V).
Alegind tensiunea corespunzatoare de polarizare a bazei se stabileste punc.tul.de functionare al tranzistorului. Va¬loarea curentului IB este foarte mica. In raport cu valoarea curentului IC care este practic aproape egal cu IE. Pentru exemplul din, figura 98, a se admite pentru simplificare IC = U/R4 = 5,5 V/1000 = 0.5 mA, care provoaca pe ficcare din rezistoarele R3 si R4 o cadere de tensiune ele 0,5 V.
Deoarcce s-a admis ipoteza ca IC = IE, se poate trage concluzia ca daca nu exista IC, nu exista nici IB, iar valoa¬rea tensiunilor pe emitor si pe colector depinde de IC, pre¬cum. si de valoarea rezistoarelor R3 si R4.
Cu aceste succinte consideratii asupra regimului de lu¬cru al tranzistoarelor, strict necesare pentru depanare, vor fi prezentate valorile tipice ale tensiunilor de alimentare si ale curentilor pentru un. tranzistor pnp.
Ec = 3… 12 V (minus pe colector si plus pe emitor);
UCE = minimum 1 V;
UE = 0.2 … 2 V
UBE = 0.15 … 0.25 V pentru tranzistoare cu germaniu si 0.55 … 0.7 V pentru cele cu siliciu;
IC = 0.5 … 5 mA
IB = 0.5 … 10 uA
IE = IC
Pe schemele de principiu ale radioreceptoarelor cu tran¬zistore sint trecute valorile precise a tensiunilor de curent continu si alternativ (RF, FI si AF).
Intreruperea circuitului bazei (fig. 98, a) provoaca, lipsa tensiunii de polarizare pe baza si pe emitor, iar tensiunea pe colector creste.
Intreruperea circuitului emitorului (fig. 98, b) atrage marimea tensiunii colectorului. UB este aproape egala cu UE.
Intreruperea circuitului colectorului produce o micsorare considerabila a tensiunii pe toti electrozii tranzistorului (fig 98, c). Tensiunea minus-emitor e mare. Poate duce la distragerea jonctiunii baza-emitor care este polarizata direct cu o tensiune mare.
Intrerupere si scurtcircuitare in interiorul tranzistorului (fig 98, c). La intreruperea conexiunii bazei, tensiunea pe baza este aproape normala (0,8 V), tensiunea pe emitor este nuia (0 V), iar tensiunea pe colector este mai mare (-6 V).
La un scurtcircuit in interior, intre E — C, tensiunea bazei (este aproape normala, tensiunea pe emitor si colector au marime identica, tensiunea de polarizare a bazei este apro¬piata de zero sau chiar pozitiva.
Scurtcircuitarea condensatorului CE (fig. 97) provoaca lipsa de tensiune minus-emitor si micsoreaza mult curentul prin tranzistor (il ”blocheaza”) din cauza polarizarii mari inverse; insa mareste consumul general datorita suntarii tensiuii de alimentare prin rezistorul RE.
Scurtcircuitarea condensatorului de decuplare la masa C1 (tensiune nula minus-baza) mareste mult curentul prin tranzistor pe care il poate distruge si totodata creste consumul general datorita, suntarii sursei de alimentare de catre R1.
Scurtcircuitarea rezistorului R1 (tensiune nula plus-baza) are ca efect blocarea tranzitoiului si deci micsorai ea curentului consumat de sursa.
Scurtcircuitarea rezistorului RE (tensiune nula plus-emitor) mareste mult curentul prin tranzistor, existind pericol de supraincarcarea si distrugerea lui.
Dupa cum s-a spus mai inainte, defectarea tranzistoarelor in timpul functionarii se intimpla relativ mai rar si atunci ddatorita cedarii altei piese radio.
De aceea, inainte de a lua decizia dezlipirii tranzisto¬rului banuit defect trebuie sa se verifice in prealabil toate celalalte piese apartinind etajului respectiv. De asemenea, nu va fi lipit un tranzistor bun in paralel cu cel banuit defect, deoarece piesele defecte pot provoca deteriorarea tranzistorului nou.
Masurarea curentilor tranzistoarelor nu se recomanda, fiind o operatie mai complicata, intrucit trebuie desfacute cone¬xiuni, ocazie cu care piesele aferente, cit si cablajul imprimat se pot deteriora. Numai pentru etajul final se poate deconecta un terminal al rezistorului de emitor dinspre sursa de alimentare si a inseria un miliampermetru pentru a masura curentul de repaus (2… 10 rnA). Asa cum s-a calculat la schema din figura 98 a, valoarea curentului IC si IB se poate calcula si caderea de tensiune pe rezistenta din emitor sau din colector.
Pentru tranzistoarele din blocul UUS curentul IE poate fi cuprins intre 1,5… 2,5 mA, la tranzistorul SF —0,7 … 1,5 mA, la FI —0,7… 1,5 mA, la AF —0,5 … 1 mA, iar la tranzistorul defazor intre 3 – 4 mA.
Operatiile de verificare a unui tranzistor in montaj, fara
Tensiunile masurate intre baza si masa si intre emitor si masa pentru un acelasi tranzistor sint apropiate ca valoare (punctele de control l, 20, 21, 4, 5, 16, 15, 9, 14, 12, 11), diferenta nedepasind 50 —250 mV. Tensiunea masurata intre colector si masa va trebui sa difere mult de tensiunea de alimentare, sau daca se conecteaza minusul la masa valoarea este nula sau foarte mica.
Lipsa tensiunii la bornele unui circuit este rezultatul lipsei de continuitate a unui element serie (rezistor, bobina, contact), sau scurtcircuitarea unui element derivatie (conden¬sator, dioda, tranzistor).
Masurarea curentilor (punctele 6, 17, 8, 22) se efectueaza cu un instrument conectat in serie cu circuitul respectiv. Se recomanda c-a miliampermetrul sau microampcrmetrul sa fie plasat la inceput pe scara cu valoare maxima si sa se coboare spre scari cu valori mai mici spre a nu deteriora aparatul de masura.
Erorile care apar la masurarea curentilor se datoresc rezistentei interne scazute a instrumentului de masura (Ri 10 kOhmi/V).
Fig. 100 (plansa de la sfarsitul cartii ) – nu este disponibila
Pentru a cunoaste valorile orientative ale tensiunilor si curentilor dintr-un radioreceptor cu tranzistoare, precum si punctele de masurare precise in scheme, au fost alese doua scheme de montaje frecvent mtilnite schema unei superhcterodiiie MA intilnita la radioreceptoarele produse in tara noastra (Cosmos 4, Pescarus, Alfa, Apolo) prezentata in figura 100 si schema (fig. 101, a) unei superheterodiene MA—MF (Mamaia 4) asemanatoare cu schemele altor radio¬receptoare (Neptun, Gloria, Moldova).
Urmarind cu atentie circuitele si efectuind masurari dupa o schema la un radioreceptor in functiune, amatorul va avea ulterior satisfactia unei depanari metodice. Dupa aceea va putea analiza cazuri mai complexe la radioreceptoare fara auditie sau cu auditie nccorespunzatoaie.
Kig. 101 (plansa de la sfarsitul cartii) – nu este disponibila
Preferabil ar fi ca sa se execute in prealabil un montaj similar celui indicat in figura 97 si sa se provoace toate cazurile de deranjamente la circuitul tranzistorului, dupa cum s-a procedat la figurile 98, a, b, c, masurind tensiunile si curentii de polarizare rezultati. Dupa un astfel ele experi¬ment, munca de depanare ar fi ameliorata, iar rezultatele satisfacatoare.
In lucrare au fost date mai multe scheme de principiu ale unor radioreceptoare tranzistorizate MA-MF produse in tara noastra, scheme pe care sint inscrise valorile tensiu¬nilor si curentilor pentru surse de alimentare uzuale de 6V, 7,5 V si 12 V (Cora, Neptun, S63 IT-Electronica, Sinaia, Zefir, Mamaia 4) cu scopul de a cunoaste concret atit func-, tionarea, cit si metodele de depanare rationale.
